ON Semiconductor
30C02MH-TL-E
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 700 mA、最小直流电流增益（hfe） 300、耗散功率（Pd） 600 mW，采用 MCPH-3 封装。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 30C02MH
- 封装
- MCPH-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
7 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 30 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 连续集电极电流
- 700 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 300
- 耗散功率（Pd）
- 600 mW
- 单件重量
- 0.000255 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。