MCH4020-TL-H
ON Semiconductor · 封装：SOT-343-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 8 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、最大直流集电极电流 150 mA，采用 SOT-343-4 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录PBHV8115TLHR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 50 mV，采用 SOT-23-3 封装。SMSD602-RT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、认证等级 AEC-Q101。SMMBTA92LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 300 V、集电极－基极电压（VCBO） - 300 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-23-3 封装。HN1A01FE-GR,LF
Toshiba · 封装：ES6-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V、最大直流集电极电流 - 150 mA，采用 ES6-6 封装。SMMBTA56LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SOT-23-3 封装。KSC1008YTA
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。50A02MH-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.06 V，采用 SC-70-3 封装。PEMZ7,315
Nexperia · 封装：SOT-666-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-666-6 封装。NSTB1005DXV5T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-553-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V、最大直流电流增益（hFE） 80 at 5 mA, 10 V at NPN，采用 SOT-553-5 封装。BC817DSF
Nexperia · 封装：SOT-457-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-457-6 封装。NSVBC114YDXV6T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。BC817DPN,125
Nexperia · 封装：SOT-457-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-457-6 封装。UMT3904T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-323-3 封装。PBSS2540M,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 DFN-1006-3 封装。NST3906DXV6T1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V，采用 SOT-563-6 封装。PHD13003C,412
WeEn Semiconductors · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-92-3 封装。DSS5160T-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 340 mV，采用 SOT-23-3 封装。KSD471ACYBU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-92-3 封装。PBSS4160PANP,115
Nexperia · 封装：DFN-2020-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV, - 125 mV，采用 DFN-2020-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。