ON Semiconductor
NSTB1005DXV5T1G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V、最大直流电流增益（hFE） 80 at 5 mA, 10 V at NPN，采用 SOT-553-5 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- NSTB1005DXV5
- 封装
- SOT-553-5
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 50 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 50 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 0.25 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 80 at 5 mA, 10 V at NPN
- 高度
- 0.6 mm
- 长度
- 1.7 mm
- 宽度
- 1.3 mm
- 连续集电极电流
- 0.1 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 80
- 耗散功率（Pd）
- 357 mW
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.000099 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。