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2N2270

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N2369A

Microchip Technology · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-18-3 封装。
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2N2369AU

Microchip Technology · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-18-3 封装。
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2N2369AUA/TR

Microchip Technology · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-18-3 封装。
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2N2604

Microchip Technology · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-46-3 封装。
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2N2605

Microchip Technology · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 30 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V，采用 TO-46-3 封装。
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2N2605UB

Microchip Technology · 封装：TO-46-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-46-3 封装。
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2N2657

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
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2N2726

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
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2N2813

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N2814

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。
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2N2877

Microchip Technology

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN。
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2N2895

Microchip Technology · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 TO-18-3 封装。
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2N2906AUA/TR

Microchip Technology · 封装：LCC-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 LCC-4 封装。
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2N2896

Microchip Technology · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 TO-18 封装。
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2N2904

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2904A

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2904AL

Microchip Technology · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。
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2N2905A

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2905Ae3

Microchip Technology · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-39-3 封装。
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