Microchip Technology
2N2896
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－发射极饱和电压 600 mV，采用 TO-18 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-18
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 90 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 600 mV
- 耗散功率（Pd）
- 1.8 W
- 增益带宽积（fT）
- 120 MHz
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 原产国家或地区
- 菲律宾
- 最小直流电流增益（hfe）
- 60
- 最大直流电流增益（hFE）
- 200
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.022642 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。