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199,570 条型号记录
每页 20 条

2SC4738-Y,LXHF

Toshiba · 封装：SSM-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 SSM-3 封装。
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2SC5198-O(S1,E,S)

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。
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TTC3710B,S4X

Toshiba · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 12 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V，采用 TO-220-3 封装。
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HN4C06J-BL(TE85L,F

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V。
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2N3415 APP TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N2857 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-72-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 2.5 V，采用 TO-72-4 封装。
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2N2895 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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2N2895 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。
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2N2896 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 美国，采用 TO-18-3 封装。
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2N2896 TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 90 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18-3 封装。
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2N3300 PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 马来西亚。
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2N3415 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92 封装。
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2N4231A TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-66-2 封装。
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2N3415 TRA PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N3415 TRA TIN/LEAD

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N3415 TRE PBFREE

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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