Toshiba
HN4C06J-BL(TE85L,F
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V。
基本资料
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- Toshiba
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- HN4C06
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
技术参数
13 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Dual
- 最大直流集电极电流
- 100 mA
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 120 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 120 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 300 mV
- 耗散功率（Pd）
- 300 mW
- 增益带宽积（fT）
- 100 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 原产国家或地区
- 日本
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- 单件重量
- 0.000494 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。