JANTXV2N5151U3
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录JANTXV2N3439UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 美国。JANTXV2N3440UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N3634UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N3636UB
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N3867U4
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N3868U4
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N4033UA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。JANTXV2N5002
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。222254
Soldered · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、原产国家或地区 HR、单件重量 0.035274 oz，采用 TO-92-3 封装。2N3906TAR
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2N3906TF
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2N3906TFR
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2N4401BU
onsemi · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-92-3 封装。2N4401TA
onsemi · 封装：TO-92-3 Kinked Lead
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 600 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V，采用 TO-92-3 Kinked Lead 封装。2C3439
Microchip Technology
该型号为晶体管。2N1481
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si，采用 TO-5-3 封装。2N1711S
Microchip Technology · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-5-3 封装。Jantxv2N6341
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。RN2413,LF
Toshiba
该型号为晶体管。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。