Microchip Technology
2N1711S
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-5-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip Technology
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-5-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大直流集电极电流
- 500 mA
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 30 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 75 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.5 V
- 耗散功率（Pd）
- 800 mW
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 原产国家或地区
- 美国
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。