MMBTA42,215
Nexperia · 封装：TO-236AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 TO-236AB-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC847BPDW1T3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 SOT-363-6 封装。BC847CWT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-70-3 封装。MMBT3416LT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV、最大直流集电极电流 100 mA，采用 SOT-23-3 封装。PMBT4403,235
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-23-3 封装。BC848CWT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-70-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 SC-70-3 封装。2SA1514KT146S
ROHM Semiconductor · 封装：SC-59-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SC-59-3 封装。ZXTP2041FTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-23-3 封装。BC847BFA-7B
Diodes Incorporated · 封装：X2-DFN0806-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 50 mV，采用 X2-DFN0806-3 封装。CPH3216-TL-E
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV, 130 mV，采用 CPH-3 封装。PBSS4350T,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 SOT-23-3 封装。2SC5658M3T5G
ON Semiconductor · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 SOT-723-3 封装。2SD1484KT146Q
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。BCM857BS,135
Nexperia · 封装：TSSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 TSSOP-6 封装。50C02SS-TL-E
ON Semiconductor · 封装：SSFP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、连续集电极电流 - 400 mA、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 200 mW，采用 SSFP-3 封装。MMDT3946LP4-7
Diodes Incorporated · 封装：DFN1310H4-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V, 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV, 300 mV，采用 DFN1310H4-6 封装。2PA1774RMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。MMBT2222AT
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-523F-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 SOT-523F-3 封装。KSC1008YBU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 TO-92-3 封装。PBSS4350D,125
Nexperia · 封装：SOT-457-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz、连续集电极电流 3 A，采用 SOT-457-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。