Diodes Incorporated
MMDT3946LP4-7
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V, 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV, 300 mV，采用 DFN1310H4-6 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- MMDT39
- 封装
- DFN1310H4-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 300 MHz, 250 MHz
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- NPN, PNP
- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 40 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 40 V, 60 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 5 V, 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 400 mV, 300 mV
- 最大直流集电极电流
- - 200 mA, 200 mA
- 增益带宽积（fT）
- 300 MHz, 250 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 高度
- 0.35 mm
- 长度
- 1.3 mm
- 宽度
- 1 mm
展开更多参数（1 项）
- 耗散功率（Pd）
- 200 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。