BC847BLP4Q-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BC847BLP4Q-7B
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC847BQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC847BSQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC847BTQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。BC857CFSW-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 U-DFN1412-3 封装。BC857CFSWQ-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN1412-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 U-DFN1412-3 封装。BC857CQ-7-F
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。DXTN03060BFG-7
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI3333-8
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 6 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 PowerDI3333-8 封装。DXTN10060DFJBQ-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 U-DFN2020-3 封装。DXTN03060CFG-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN03100BFG-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN03100CFG-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN06080BFG-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN07025BFGQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN07045DFGQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN07060BFGQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN07100BFGQ-7
Diodes Incorporated
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国。DXTN10060DFJBWQ-7
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 W-DFN2020-3 封装。DXTN5840CFDB-7
Diodes Incorporated · 封装：U-DFN2020-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 7 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V，采用 U-DFN2020-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。