Diodes Incorporated
DXTN10060DFJBWQ-7
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 4 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V，采用 W-DFN2020-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- W-DFN2020-3
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 剪切带
技术参数
17 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大直流集电极电流
- 4 A
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 60 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 100 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 8 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 240 mV
- 耗散功率（Pd）
- 1.8 W
- 增益带宽积（fT）
- 125 MHz
- 工作温度范围
- -55～175 °C
- 认证等级
- AEC-Q101
展开更多参数（5 项）
- 连续集电极电流
- 4 A
- 原产国家或地区
- 中国
- 最小直流电流增益（hfe）
- 250 at 10 mA, 2 V
- 最大直流电流增益（hFE）
- 550 at 10 mA, 2 V
- 单件重量
- 1.058219 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。