2N3963
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、型号别名 2N3963 PBFREE，采用 TO-18 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录ZTX690BSTZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。ZTX692B
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 70 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。PMP4501Y,135
Nexperia · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-363-6 封装。ZTX857STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 330 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-92-3 封装。2N3725A
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 900 mV，采用 TO-39-3 封装。ZXT951KTC
Diodes Incorporated · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、最大直流集电极电流 6 A，采用 DPAK-3 封装。ZXTC6719MCTA
Diodes Incorporated · 封装：DFN3020B-8
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V, 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V, 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 10 mV，采用 DFN3020B-8 封装。BUXD87T4
STMicroelectronics · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A、增益带宽积（fT） 20 MHz，采用 TO-252-3 封装。DXT2010P5-13
Diodes Incorporated · 封装：PowerDI-5
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 260 mV，采用 PowerDI-5 封装。BULD741T4
STMicroelectronics · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 15 V、最大直流集电极电流 2.5 A、最小工作温度 - 65 C，采用 DPAK-3 封装。PBSS4140DPNF
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 TSOP-6 封装。PBSS303NZ,135
Nexperia · 封装：SC-73-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 5.5 A，采用 SC-73-4 封装。BC847BFZ-7B
Diodes Incorporated · 封装：DFN0606-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 DFN0606-3 封装。MAT14ARZ-R7
Analog Devices · 封装：SOIC-14
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、最大直流集电极电流 0.03 A、最小工作温度 - 25 C，采用 SOIC-14 封装。FJB5555TM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：D2PAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 14 V、最大直流集电极电流 5 A、耗散功率（Pd） 1.6 W、单件重量 0.046296 oz，采用 D2PAK-3 封装。NJVMJD3055T4G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.012381 oz。CMKT5087 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-363
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 SOT-363 封装。CJD42C TR13
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 DPAK POWER、型号别名 CJD42C PBFREE TR13。ZXTP19060CZTA
Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 4.5 A，采用 SOT-89-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。