2N6518 APM TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N6518 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP，采用 TO-92-3 封装。2N6518 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。2N657A TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。2N696 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、原产国家或地区 马来西亚。2N696 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。2N697A PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 35 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V。2N697A TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 35 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。2N698 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。2N698 TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N699 PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 150 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。2N699 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-39-3 封装。2N706A PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 TO-18-3 封装。2N706A TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。2N708 PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。2N708 TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 TO-18-3 封装。2N718A PBFREE
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 750 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V，采用 TO-18-3 封装。2N718A TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N834A PBFREE
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。2N834A TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。