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Central Semiconductor

2N706A PBFREE

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 50 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 15 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、耗散功率(Pd) 300 mW,采用 TO-18-3 封装。

基本资料

品牌 / 制造商
Central Semiconductor
产品类别
晶体管
封装
TO-18-3
安装方式
通孔安装
包装方式
散装

技术参数

10 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大直流集电极电流
50 mA
最大集电极-发射极电压(VCEO)
15 V
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
耗散功率(Pd)
300 mW
连续集电极电流
50 mA
原产国家或地区
马来西亚
最小直流电流增益(hfe)
20
最大直流电流增益(hFE)
60

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

2N706A PBFREE 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技