芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

PBSS5480XZ

Nexperia · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-89-3 封装。

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PMBS3906,235

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。

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Jantx2N5303

Microchip / Microsemi · 封装：Si

该型号为晶体管，采用 Si 封装。

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PMST4401,135

Nexperia · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。

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CZT2955 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-223

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 6 A，采用 SOT-223 封装。

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PMD10K100

Central Semiconductor · 封装：TO-3-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-3-2 封装。

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CMST2907A BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-323

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、商品名称 SUPERmini、型号别名 BK CMST2907A PBFREE，采用 SOT-323 封装。

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FMMTL619TA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。

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PBSS5240TVL

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q101，采用 SOT-23-3 封装。

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BCX22

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 125 V、集电极－基极电压（VCBO） 125 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。

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FMMT624TC

Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 125 V、集电极－基极电压（VCBO） 125 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。

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MPS6513

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。

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2N5817

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.75 A，采用 TO-92-3 封装。

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2PB1219AQ,135

Nexperia · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。

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2N6430

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 2N6430 PBFREE，采用 TO-18 封装。

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2N4104

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 2N4104 PBFREE，采用 TO-18 封装。

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MPS6562

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。

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CXT5551HC TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 160 V、集电极－基极电压（VCBO） 180 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-89-3 封装。

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CMPT2907A BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-23

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、型号别名 BK CMPT2907A PBFREE，采用 SOT-23 封装。

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CMUT2907A BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、商品名称 UltraMini、型号别名 BK CMUT2907A PBFREE，采用 SOT-523 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。