Central Semiconductor
CZT2955 TR
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 6 A，采用 SOT-223 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- CZT
- 封装
- SOT-223
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 60 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 100 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 7 V
- 最大直流集电极电流
- 6 A
- 耗散功率（Pd）
- 2000 mW
- 增益带宽积（fT）
- 2.5 MHz
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 技术
- Si
- 最小直流电流增益（hfe）
- 20
- 商品名称
- Power223
- 型号别名
- CZT2955 PBFREE TR
展开更多参数（1 项）
- 单件重量
- 0.063493 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。