ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

2N3763U4

Microchip / Microsemi · 封装：TO-93-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-93-3 封装。
查看资料 询价

BDP 953 H6327

Infineon Technologies

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、型号别名 BDP953H6327XT BDP953H6327XTSA1 SP000748526。
查看资料 询价

DZTA42-13

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-223-4 封装。
查看资料 询价

BUY48

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 170 V、集电极－基极电压（VCBO） 200 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N3860

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
查看资料 询价

BCP5210TA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-223-4 封装。
查看资料 询价

2N6212

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 300 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

2PD601ARW,115

Nexperia · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。
查看资料 询价

ZTX789ASTZ

Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 TO-92-3 封装。
查看资料 询价

ZXTN4004ZTA

Diodes Incorporated · 封装：SOT-89-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 SOT-89-3 封装。
查看资料 询价

2N6301

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

2N1481

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2PB1219AR,135

Nexperia · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-323-3 封装。
查看资料 询价

2N3714

Central Semiconductor · 封装：TO-3-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-3-2 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技