Diodes Incorporated
ZTX789ASTZ
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 25 V、集电极－基极电压（VCBO） - 25 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 TO-92-3 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 品牌 / 制造商
- Diodes Incorporated
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- ZTX789
- 封装
- TO-92-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
17 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- - 25 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- - 25 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- - 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- - 0.5 V
- 最大直流集电极电流
- 3 A
- 耗散功率（Pd）
- 1000 mW
- 增益带宽积（fT）
- 100 MHz
- 工作温度范围
- -55～150 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 300 at 10 mA, 2 V
- 高度
- 4.01 mm
展开更多参数（5 项）
- 长度
- 4.77 mm
- 技术
- Si
- 宽度
- 2.41 mm
- 连续集电极电流
- - 3 A
- 单件重量
- 0.016000 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。