2SC2873-Y(TE12L,ZC
Toshiba · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SC-62-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2SA1987-O(Q)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2SA1201-Y(TE12L,ZC
Toshiba · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1 V，采用 SC-62-3 封装。2SA2061(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.1 V。2SB817C-1E
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 2 V。2N2905Ae3
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2SA1483-Y(TE12L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2SA2059(TE12L,F)
Toshiba · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.19 V，采用 SC-62-3 封装。BSR31,135
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、认证等级 AEC-Q101。2SA2060(TE12L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si。2SC2881-Y(TE12L,ZC
Toshiba · 封装：SC-62-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SC-62-3 封装。2SA1971(TE12L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 400 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.4 V。TTA006B,Q
Toshiba · 封装：TO-126N-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 230 V、集电极－基极电压（VCBO） - 230 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 TO-126N-3 封装。TTC011B,Q
Toshiba · 封装：TO-126N-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-126N-3 封装。HN4B102J(TE85L,F)
Toshiba
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V, 30 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V, 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V, 7 V、最大直流集电极电流 - 8 A, 8 A。BC807-40LR
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-23-3 封装。2SA1579U3T106
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管。2SAR372P5T100
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 120 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-89-3 封装。2SA1943-O(S1,F
Toshiba · 封装：TO-3P-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 230 V、集电极－基极电压（VCBO） - 230 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.5 V，采用 TO-3P-3 封装。BC847BU3T106
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。