ON Semiconductor
2SB817C-1E
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 160 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 2 V。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2SB817C
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 管装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 140 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 160 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 2 V
- 最大直流集电极电流
- 12 A
- 耗散功率（Pd）
- 120 W
- 最大直流电流增益（hFE）
- 200 A
- 技术
- Si
- 连续集电极电流
- 12 A
- 单件重量
- 0.204589 oz
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。