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BC856A

Rectron · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
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MMBT3904

Rectron · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。
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2N2219

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N3439

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，采用 TO-39-3 封装。
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2SA1943-O(Q)

Toshiba · 封装：TO-3P-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 230 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 TO-3P-3 封装。
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2N2219A

Rectron · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
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MPQ2222A

Central Semiconductor · 封装：TO-116

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 2 V，采用 TO-116 封装。
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2N2222A

Rectron · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-18-3 封装。
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2N3019

Rectron · 封装：TO-93-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-93-3 封装。
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2N2907A

Rectron · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。
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TIP32C

Rectron · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、连续集电极电流 3 A、耗散功率（Pd） 40 W、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-220-3 封装。
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2SA1834TLS

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 10 A。
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TSC5302DCP ROG

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V，采用 TO-252-3 封装。
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TSC5303DCP ROG

Taiwan Semiconductor · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 9 V，采用 TO-252-3 封装。
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TSC5302DCH

Taiwan Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN。
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