ChipSourceHub 美芯科技

ROHM Semiconductor

2SA1834TLS

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 20 V、集电极-基极电压(VCBO) 30 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、最大直流集电极电流 10 A。

基本资料

查看数据手册 ↗
品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
2SA1834
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
20 V
集电极-基极电压(VCBO)
30 V
发射极-基极电压(VEBO)
6 V
最大直流集电极电流
10 A
增益带宽积(fT)
150 MHz
最大工作温度
+ 150 C
最大直流电流增益(hFE)
270 at 500 mA, 2 V
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
宽度
5.5 mm
展开更多参数(2 项)
最小直流电流增益(hfe)
270
耗散功率(Pd)
1000 mW

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

2SA1834TLS 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技