ChipSourceHub 美芯科技
English发起询盘

分立与功率器件

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

2N3505 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。
查看资料 询价

2N1131B

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N1131B PBFREE，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

2N2845

Central Semiconductor · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-18-3 封装。
查看资料 询价

MPS6522 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-92-3 封装。
查看资料 询价

BC846BR BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 SOT-23-3 封装。
查看资料 询价

2N3301

Central Semiconductor · 封装：TO-18-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.22 V，采用 TO-18-3 封装。
查看资料 询价

CMXT7090L BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-26

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V，采用 SOT-26 封装。
查看资料 询价

2N5786 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 3.5 V，采用 TO-39-3 封装。
查看资料 询价

MPS3708

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 625 mW、单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。
查看资料 询价

CZT2680

Central Semiconductor · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 135 mV、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 SOT-223-4 封装。
查看资料 询价

2N6373

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

2N4299

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

D44H11 PBFREE

Central Semiconductor · 封装：DPAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 DPAK-3 封装。
查看资料 询价

2N4296

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 350 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

2N6374

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

2N4233A

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

2N6314

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
查看资料 询价

CJD200 BK

Central Semiconductor · 封装：DPAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 8 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 DPAK-3 封装。
查看资料 询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库｜技术参数与数据手册｜ChipSourceHub 美芯科技