Central Semiconductor
CZT2680
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 200 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 135 mV、最大直流集电极电流 1.5 A，采用 SOT-223-4 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- CZT2680
- 封装
- SOT-223-4
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
13 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 200 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 250 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 6 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 135 mV
- 最大直流集电极电流
- 1.5 A
- 增益带宽积（fT）
- 80 MHz
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 最小直流电流增益（hfe）
- 15
- 耗散功率（Pd）
- 2 W
- 商品名称
- Power223
- 型号别名
- CZT2680 TR
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- 单件重量
- 0.003951 oz
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