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PMP5201G,135

Nexperia · 封装：SOT-353-5

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-353-5 封装。
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BC807-40HZ

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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MMSTA56Q-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-323-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V，采用 SOT-323-3 封装。
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BC817K-25VL

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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2N6424

Central Semiconductor · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 225 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-66-2 封装。
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CMPT4209 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.000282 oz，采用 SOT-23-3 封装。
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CMPT5087E TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 110 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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CMLTA44 TR

Central Semiconductor · 封装：SOT-563-6

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-563-6 封装。
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NSV20200DMTWTBG

ON Semiconductor · 封装：WDFN-6

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V、最小直流电流增益（hfe） 220、认证等级 AEC-Q101，采用 WDFN-6 封装。
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NSV20201DMTWTBG

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、认证等级 AEC-Q101。
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DN0150ALP4-7B

Diodes Incorporated · 封装：DFN1006H4-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 DFN1006H4-3 封装。
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MJD50RLG

ON Semiconductor · 封装：DPAK-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 500 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 DPAK-3 封装。
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BC807K-16VL

Nexperia · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。
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2SA1586SU-Y,LF

Toshiba · 封装：SC-70-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 80 MHz、连续集电极电流 - 150 mA、最小直流电流增益（hfe） 70，采用 SC-70-3 封装。
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ZXTP01500BGQTA-7

Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 500 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V，采用 SOT-223-3 封装。
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MPS3415

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 25 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N2895

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N2895 PBFREE，采用 TO-18 封装。
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