ON Semiconductor
NSV20200DMTWTBG
该型号为晶体管，主要参数包括配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V、最小直流电流增益（hfe） 220、认证等级 AEC-Q101，采用 WDFN-6 封装。
基本资料
- 品牌 / 制造商
- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- WDFN-6
- 安装方式
- 表面贴装（SMD/SMT）
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
6 项参数- 配置
- Dual
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 20 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 20 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 0.25 V
- 最小直流电流增益（hfe）
- 220
- 认证等级
- AEC-Q101
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。