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199,570 条型号记录
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2N3420

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 85 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-39-3 封装。
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MPS404A

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 35 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 25 V，采用 TO-92-3 封装。
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BSY79

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-18 封装。
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2N5629

Central Semiconductor · 封装：TO-3-2

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、最大直流集电极电流 16 A，采用 TO-3-2 封装。
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FJP5304DTU

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 400 V、集电极－基极电压（VCBO） 700 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-220-3 封装。
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MPQ3798

Central Semiconductor · 封装：TO-116

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-116 封装。
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CMPT3906E

Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-23-3 封装。
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PN4356

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。
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BCP56-10,135

Nexperia · 封装：SOT-223-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-223-3 封装。
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MPS2369

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 MPS2369 PBFREE，采用 TO-92-3 封装。
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PN4209

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V，采用 TO-92-3 封装。
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D40C7

Central Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BK D40C7。
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2N4904

Central Semiconductor · 封装：TO-3-2

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V、最大直流集电极电流 5 A，采用 TO-3-2 封装。
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MPS6507

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V，采用 TO-92-3 封装。
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2N5447

Central Semiconductor · 封装：TO-92-3

该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N5447 PBFREE，采用 TO-92-3 封装。
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CMUT2222A BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-523

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 UltraMini、型号别名 BK CMUT2222A PBFREE，采用 SOT-523 封装。
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NMB2227AH

Nexperia · 封装：TSOP-6

该型号为晶体管，采用 TSOP-6 封装。
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2N3253

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.2 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N1700

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-39-3 封装。
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CMST2222A BK

Central Semiconductor · 封装：SOT-323

该型号为晶体管，主要参数包括商品名称 SUPERmini、型号别名 BK CMST2222A PBFREE，采用 SOT-323 封装。
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