Central Semiconductor
BSY79
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-18 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-18
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 技术
- Si
- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 120 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 0.5 V
- 增益带宽积（fT）
- 50 MHz
- 连续集电极电流
- 2 mA
- 最小直流电流增益（hfe）
- 30 at 1 mA, 1 V
- 型号别名
- BSY79 PBFREE
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。