ZTX955STZ
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） - 180 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-92-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录CMPT6427 TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 CMPT6427 PBFREE TR，采用 SOT-23 封装。FZT651TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.43 V，采用 SOT-223-4 封装。FZT951TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、集电极－发射极饱和电压 - 370 mV，采用 SOT-223-4 封装。FMMT617TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 150 mV，采用 SOT-23-3 封装。BUJ403A,127
WeEn Semiconductors · 封装：TO-220AB-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 550 V、集电极－基极电压（VCBO） 1.2 kV、集电极－发射极饱和电压 0.15 V，采用 TO-220AB-3 封装。PBSS5350D,135
Nexperia · 封装：TSOP-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TSOP-6 封装。DSS2540M-7B
Diodes Incorporated · 封装：DFN1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 DFN1006-3 封装。2PD1820AR,115
Nexperia · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323-3 封装。MM3007
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V，采用 TO-39-3 封装。2N3811
Central Semiconductor · 封装：TO-78-6
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-78-6 封装。BC847BT TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 BC847BT PBFREE TR，采用 SOT-523 封装。NJVMJD44H11RLG
ON Semiconductor · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 16 A，采用 TO-252-3 封装。ZTX788A
Diodes Incorporated · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 15 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。ZXTN2010A
Diodes Incorporated · 封装：E-Line-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 4.5 A，采用 E-Line-3 封装。2PA1774SMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006B-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 200 mV，采用 DFN-1006B-3 封装。FZT753TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V，采用 SOT-223-4 封装。FMMT593TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 100 V、集电极－基极电压（VCBO） - 120 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 300 mV，采用 SOT-23-3 封装。BC857AMB,315
Nexperia · 封装：DFN-1006-3
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101，采用 DFN-1006-3 封装。FMMT491ATC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。