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Diodes Incorporated

FZT951TC

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) - 60 V、集电极-基极电压(VCBO) - 100 V、发射极-基极电压(VEBO) - 7 V、集电极-发射极饱和电压 - 370 mV,采用 SOT-223-4 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
Diodes Incorporated
产品类别
晶体管
产品系列
FZT951
封装
SOT-223-4
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

14 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
- 60 V
集电极-基极电压(VCBO)
- 100 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 7 V
集电极-发射极饱和电压
- 370 mV
最大直流集电极电流
- 5 A
增益带宽积(fT)
120 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
宽度
3.7 mm
展开更多参数(2 项)
耗散功率(Pd)
3 W
单件重量
0.003951 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

FZT951TC 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技