2N328A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 35 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 20 V，采用 TO-5-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录Jantxv2N2907AUA
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2SA1955FVBTPL3Z
Toshiba · 封装：SOT-723-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 12 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.03 V、最大直流电流增益（hFE） 1000、连续集电极电流 - 0.4 A，采用 SOT-723-3 封装。BC 848BW H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV，采用 SOT-323-6 封装。JANTX2N4150S
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC858CE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-23-3 封装。Jantx2N2221A
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。Jantxv2N3637
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3635
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 140 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-39-3 封装。2N4931
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BC847SH6327XT
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。BCX5216H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 52-16 BAT1705WH6327XTSA1 BCX H6327 SP001125342，采用 SOT-89-4 封装。BCW67BE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。BFN 39 H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、型号别名 BFN39H6327XT BFN39H6327XTSA1 SP000748532。Jantx2N3500
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BFN 38 H6327
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、型号别名 BFN38H6327XT BFN38H6327XTSA1 SP000748530。BC846SH6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-363-6 封装。BC847CWH6433XTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-323-3 封装。BC 847PN H6727
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、型号别名 BC847PNH6727XT BC847PNH6727XTSA1 SP000747296。BC 858B E6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-23-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。