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Infineon Technologies

BC847SH6327XT

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 200 mV,采用 SOT-363-6 封装。

基本资料

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制造商
Infineon
品牌
Infineon Technologies
产品类别
晶体管
封装
SOT-363-6
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带

技术参数

16 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Dual
最大集电极-发射极电压(VCEO)
45 V
集电极-基极电压(VCBO)
50 V
发射极-基极电压(VEBO)
6 V
集电极-发射极饱和电压
200 mV
最大直流集电极电流
200 mA
增益带宽积(fT)
250 MHz
工作温度范围
-60~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
450
连续集电极电流
100 mA
最小直流电流增益(hfe)
200
展开更多参数(4 项)
耗散功率(Pd)
250 mW
认证等级
AEC-Q101
型号别名
847S BC BC847SH6327XTSA1 H6327 SP000747298
单件重量
0.000265 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

BC847SH6327XT 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技