FMMT495TC
Diodes Incorporated · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 170 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N6387
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、最大直流集电极电流 10 A，采用 TO-220-3 封装。NJVMJD31CT4G
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最小工作温度 - 65 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 3 A，采用 DPAK-3 封装。CEN-U57
Central Semiconductor · 封装：TO-202
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-202 封装。2N6487
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 70 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-220-3 封装。2N6388
Central Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、集电极－发射极饱和电压 2 V、增益带宽积（fT） 20 MHz，采用 TO-220-3 封装。BC857BT
Central Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A。2N4124
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 25 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 TO-92-3 封装。CMPT4033 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。Jantx2N2905AL
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。MJ10012
Central Semiconductor · 封装：TO-3-2
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、集电极－基极电压（VCBO） 600 V、集电极－发射极饱和电压 2.5 V、最大直流电流增益（hFE） 2000，采用 TO-3-2 封装。Jan2N3501L/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-5-3 封装。BCP 53-16 H6433
Infineon Technologies · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。BCP5116H6327XTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 51-16 BCP H6327 SP000748090，采用 SOT-223-4 封装。SMBT 3904UPN E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。BC 847CW H6778
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。Jantx2N6547
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。2N3507U4
Microchip / Microsemi · 封装：SMD-3
该型号为晶体管，采用 SMD-3 封装。2N2222AL/TR
Microchip / Microsemi · 封装：TO-206AA-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-206AA-3 封装。2N4402
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-92-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。