Central Semiconductor
BC857BT
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.1 A。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- BC857
- 包装方式
- 卷盘
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
11 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 45 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 50 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 最大直流集电极电流
- 0.1 A
- 增益带宽积（fT）
- 250 MHz
- 最大工作温度
- + 150 C
- 最小直流电流增益（hfe）
- 250
- 耗散功率（Pd）
- 250 mW
- 型号别名
- BC857BT TR
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。