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MAT12AHZ

Analog Devices · 封装：TO-78-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 40 V、集电极－发射极饱和电压 0.05 V，采用 TO-78-6 封装。
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MJD42CT4G

ON Semiconductor · 封装：TO-252-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 TO-252-3 封装。
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MPQ2222

Central Semiconductor · 封装：TO-116

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2.6 V，采用 TO-116 封装。
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2N3725

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N5886G

ON Semiconductor · 封装：TO-204-2

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-204-2 封装。
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2N3055G

ON Semiconductor · 封装：TO-204-2

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 TO-204-2 封装。
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MJW21194G

ON Semiconductor · 封装：TO-247-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 400 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.4 V，采用 TO-247-3 封装。
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2N5320

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 75 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 700 mV、最大直流集电极电流 2 A，采用 TO-39-3 封装。
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2N2907A

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2.6 V，采用 TO-18 封装。
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2N2484

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V，采用 TO-18 封装。
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2N5109

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N3019

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-39-3 封装。
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2N2905A

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N3440

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 300 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2222A

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-18 封装。
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2N3439

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 350 V、集电极－基极电压（VCBO） 450 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2219A

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N2222

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 TO-18 封装。
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2N2907

Central Semiconductor · 封装：TO-18

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V、最大直流集电极电流 0.6 A，采用 TO-18 封装。
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2N2905

Central Semiconductor · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。
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