Central Semiconductor
2N3019
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV，采用 TO-39-3 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2N3019
- 封装
- TO-39-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
15 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 80 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 140 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 7 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 500 mV
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 增益带宽积（fT）
- 100 MHz
- 最大工作温度
- + 200 C
- 高度
- 6.6 mm
- 长度
- 9.4 mm
- 宽度
- 9.4 mm
展开更多参数（3 项）
- 连续集电极电流
- 1 A
- 最小直流电流增益（hfe）
- 40 at 150 mA, 10 V
- 型号别名
- 2N3019 PBFREE
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。