FJP1943RTU
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 230 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 15 A，采用 TO-220-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录TIP36C
STMicroelectronics · 封装：TO-247-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.8 V，采用 TO-247-3 封装。MMPQ6700
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-16
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOIC-16 封装。MMPQ3906
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-16
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 40 V、集电极－基极电压（VCBO） - 40 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 400 mV，采用 SOIC-16 封装。MMPQ3904
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-16
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOIC-16 封装。LP395Z/NOPB
Texas Instruments · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 36 V、发射极－基极电压（VEBO） 20 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、连续集电极电流 45 mA，采用 TO-92-3 封装。MJE15030G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 150 V、集电极－基极电压（VCBO） 150 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-220-3 封装。PBSS4041NT,215
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3.8 A、增益带宽积（fT） 175 MHz，采用 SOT-23-3 封装。NSS60200LT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、最大直流集电极电流 2 A，采用 SOT-23-3 封装。NZT45H8
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 8 A、增益带宽积（fT） 40 MHz，采用 SOT-223-4 封装。STN9260
STMicroelectronics · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 600 V、发射极－基极电压（VEBO） - 7 V、最大直流集电极电流 - 1 A、连续集电极电流 - 0.5 A、最小直流电流增益（hfe） 50，采用 SOT-223-4 封装。2N4401
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 750 mV，采用 TO-92-3 封装。CMPT2222A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V，采用 SOT-23 封装。MPSA18
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6.5 V、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 TO-92-3 封装。2N3704
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 TO-92-3 封装。CMPT3904G TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV，采用 SOT-23 封装。CMPT2907A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-23
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.6 V，采用 SOT-23 封装。2N5088
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 35 V、发射极－基极电压（VEBO） 4.5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。2N5087
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 TO-92-3 封装。MJE15033G
ON Semiconductor · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 250 V、集电极－基极电压（VCBO） 250 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-220-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。