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STMicroelectronics

TIP36C

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 100 V、集电极-基极电压(VCBO) 100 V、发射极-基极电压(VEBO) - 5 V、集电极-发射极饱和电压 1.8 V,采用 TO-247-3 封装。

基本资料

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品牌 / 制造商
STMicroelectronics
产品类别
晶体管
产品系列
TIP36C
封装
TO-247-3
安装方式
通孔安装
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

15 项参数
晶体管极性
PNP
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
100 V
集电极-基极电压(VCBO)
100 V
发射极-基极电压(VEBO)
- 5 V
集电极-发射极饱和电压
1.8 V
最大直流集电极电流
25 A
增益带宽积(fT)
3 MHz
工作温度范围
-65~150 °C
高度
20.15 mm
长度
15.75 mm
宽度
5.15 mm
展开更多参数(3 项)
连续集电极电流
25 A
耗散功率(Pd)
125 W
单件重量
0.229281 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

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