芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

199,570 条型号记录

每页 20 条

2SD1760TLQ

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A。

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MMSTA64T146

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、集电极－发射极饱和电压 1.5 V，采用 SOT-23-3 封装。

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MMST4124T146

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 300 mV、最大直流集电极电流 200 mA、增益带宽积（fT） 300 MHz。

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EMX3T2R

ROHM Semiconductor · 封装：EMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V，采用 EMT-6 封装。

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2SAR514PT100

ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.2 V，采用 MPT-3 封装。

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FMY5T148

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V。

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UMZ7NTR

ROHM Semiconductor · 封装：TUMT-6

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 15 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 90 mV, - 100 mV，采用 TUMT-6 封装。

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MMSTA13T146

ROHM Semiconductor · 封装：TO-236-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 10 V、最大直流集电极电流 0.3 A，采用 TO-236-3 封装。

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2SA1774EBTLP

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V，采用 SOT-416-3 封装。

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2SC4726TLN

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 11 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 3 V、最大直流集电极电流 0.05 A。

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2SC4617EBTLP

ROHM Semiconductor · 封装：EMT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV，采用 EMT-3 封装。

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STE07DE220

STMicroelectronics · 封装：ISOTOP

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 14 A、增益带宽积（fT） 150 kHz、最大工作温度 + 125 C、最大直流电流增益（hFE） 15，采用 ISOTOP 封装。

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FMY6T148

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管。

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MMSTA56T146

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 4 V、最大直流集电极电流 - 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。

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IMT2AT108

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大直流集电极电流 0.15 A。

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2SA1774EBTLS

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-416-3

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SST6838T216

ROHM Semiconductor · 封装：SOT-23-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 400 mV、最大直流集电极电流 200 mA，采用 SOT-23-3 封装。

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2SCR544PT100

ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 2.5 A、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 MPT-3 封装。

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MMST6428T146

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A。

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2SD1664T100P

ROHM Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。