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ROHM Semiconductor

MMST4124T146

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、集电极-基极电压(VCBO) 30 V、发射极-基极电压(VEBO) 5 V、集电极-发射极饱和电压 300 mV、最大直流集电极电流 200 mA、增益带宽积(fT) 300 MHz。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
MMST4124
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
剪切带
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

10 项参数
晶体管极性
NPN
集电极-基极电压(VCBO)
30 V
发射极-基极电压(VEBO)
5 V
集电极-发射极饱和电压
300 mV
最大直流集电极电流
200 mA
增益带宽积(fT)
300 MHz
最大直流电流增益(hFE)
360 at 2 mA, 1 V
连续集电极电流
200 mA
最小直流电流增益(hfe)
120
单件重量
0.000282 oz

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MMST4124T146 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技