BCY78-X
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCY58-X
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18 封装。TIP29B-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1 A，采用 TO-220-3 封装。TIP32-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 3 A，采用 TO-220-3 封装。BCY58-VII
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-18 封装。2N4407
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括型号别名 2N4407 PBFREE，采用 TO-39-3 封装。2N3734
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。2N2368
Central Semiconductor · 封装：TO-18
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 15 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、集电极－发射极饱和电压 0.25 V，采用 TO-18 封装。MPQ3467
Central Semiconductor · 封装：TO-116
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Quad、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV、增益带宽积（fT） 125 MHz，采用 TO-116 封装。CMUT2907A TR
Central Semiconductor · 封装：SOT-523
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 2.6 V，采用 SOT-523 封装。MMDT3904V-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-563-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.2 A，采用 SOT-563-6 封装。BDX18XJQR-B
Semelab / TT Electronics · 封装：TO-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 70 V、最大直流集电极电流 - 1.5 A、增益带宽积（fT） 800 kHz、耗散功率（Pd） 87.5 W，采用 TO-3 封装。BC550A A1
Taiwan Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括单件重量 0.016000 oz，采用 TO-92-3 封装。BC847AW-TP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-323-3 封装。2N5400
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 130 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-92-3 封装。TIP102-BP
Micro Commercial Components (MCC) · 封装：TO-220-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 15 A、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 8 A，采用 TO-220-3 封装。MPS6561
Central Semiconductor · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V、连续集电极电流 0.6 A、耗散功率（Pd） 625 mW，采用 TO-92-3 封装。MPQ3725A
Central Semiconductor · 封装：TO-116
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 450 mV，采用 TO-116 封装。2N5786
Central Semiconductor · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 3.5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 3.5 A，采用 TO-39-3 封装。2N2483
Central Semiconductor · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 350 mV，采用 TO-18-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。