Central Semiconductor
2N5786
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 3.5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 3.5 A，采用 TO-39-3 封装。
基本资料
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- Central Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- 2N5786
- 封装
- TO-39-3
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 散装
- RoHS
- T
技术参数
12 项参数- 晶体管极性
- NPN
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 40 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 45 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 3.5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1 V
- 最大直流集电极电流
- 3.5 A
- 增益带宽积（fT）
- 4 MHz
- 工作温度范围
- -65～200 °C
- 最大直流电流增益（hFE）
- 120
- 最小直流电流增益（hfe）
- 4 at 1.6 A, 2 V
- 耗散功率（Pd）
- 10000 mW
- 型号别名
- 2N5786 TIN/LEAD
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。