PBHV9040TVL
Nexperia · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 400 V、集电极－基极电压（VCBO） - 500 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 110 mV，采用 SOT-23-3 封装。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录2N5427
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。FJV92MTF
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 350 V、集电极－基极电压（VCBO） - 350 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V，采用 SOT-23-3 封装。2N5796U
Optek / TT Electronics
该型号为晶体管。BCW60DE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 32 V、集电极－基极电压（VCBO） 32 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。Jan2N5667
Microchip / Microsemi · 封装：No
该型号为晶体管，采用 No 封装。Jantx2N3498
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.6 V，采用 TO-39-3 封装。Jan2N2906A
Microchip / Microsemi · 封装：TO-18-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-18-3 封装。SMBT 3904S H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.3 V，采用 SOT-363-6 封装。500-00003
Parallax · 封装：TO-92-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 40 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV、增益带宽积（fT） 250 MHz，采用 TO-92-3 封装。Jantxv2N6193
Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 100 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-39-3 封装。2N5337
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。KSH44H11TM
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：TO-252-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1 V、最大直流集电极电流 8 A，采用 TO-252-3 封装。BCX70KE6327HTSA1
Infineon Technologies · 封装：SOT-23-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.2 V，采用 SOT-23-3 封装。BCV 61B E6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-143-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 0.1 A，采用 SOT-143-4 封装。JANTX2N3735
Microchip / Microsemi
该型号为晶体管。BCM 856S H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-363-6
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 65 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-363-6 封装。BDP 948 H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-223-4
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 SOT-223-4 封装。SSVPZT751T1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A。2SB1203S-H
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 220 mV, - 280 mV，采用 TO-251-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。