ON Semiconductor
SSVPZT751T1G
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 2 A。
基本资料
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- ON Semiconductor
- 产品类别
- 晶体管
- 产品系列
- PZT751
- 包装方式
- 剪切带
- RoHS
- 符合（来源记录）
技术参数
9 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 60 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 80 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 最大直流集电极电流
- 2 A
- 工作温度范围
- -65～150 °C
- 最小直流电流增益（hfe）
- 75 at 50 mA, 2 V, 75 at 500 mA, 2 V, 75 at 1 A, 2 V, 40 at 2 A, 2 V
- 耗散功率（Pd）
- 800 mW
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。