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型号列表

199,570 条型号记录
每页 20 条

2N3700UB

Microchip / Microsemi · 封装：UB-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 UB-4 封装。
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BCP56

ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOT-223-4

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流集电极电流 1.2 A，采用 SOT-223-4 封装。
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2N2222AUB

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V。
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BCX5616H6327XTSA1

Infineon Technologies · 封装：SOT-89-4

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-89-4 封装。
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Jantx2N2060

Microchip / Microsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V。
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2N4900

Microchip / Microsemi · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.3 V，采用 TO-66-2 封装。
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Jantxv2N3019

Microchip / Microsemi · 封装：TO-5-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 140 V、发射极－基极电压（VEBO） 7 V，采用 TO-5-3 封装。
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2SC3324GRTE85LF

Toshiba · 封装：SOT-346-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 120 V、集电极－基极电压（VCBO） 120 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 100 MHz，采用 SOT-346-3 封装。
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TIP120

Rectron · 封装：TO-220-3

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、最大直流电流增益（hFE） 100、连续集电极电流 5 A，采用 TO-220-3 封装。
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2N2222AUA

Welwyn Components / TT Electronics

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 1 V。
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MPQ2484

Central Semiconductor · 封装：TO-116

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.5 V，采用 TO-116 封装。
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2N5684

Microchip / Microsemi · 封装：TO-3-2

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 5 V，采用 TO-3-2 封装。
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2N6990

Microchip / Microsemi · 封装：TO-116-14

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Quad、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 75 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 TO-116-14 封装。
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2N6315

Microchip / Microsemi · 封装：TO-66-2

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-66-2 封装。
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Jan2N2905

Microchip / Microsemi · 封装：TO-39-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 40 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 TO-39-3 封装。
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2N1486

Microchip / Microsemi · 封装：TO-8-3

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 55 V、集电极－基极电压（VCBO） 100 V、发射极－基极电压（VEBO） 12 V，采用 TO-8-3 封装。
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