Microchip / Microsemi
2N4900
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 1.3 V，采用 TO-66-2 封装。
基本资料
查看数据手册 ↗- 制造商
- Microchip
- 品牌
- Microchip / Microsemi
- 产品类别
- 晶体管
- 封装
- TO-66-2
- 安装方式
- 通孔安装
- 包装方式
- 托盘
- RoHS
- 不符合（来源记录）
技术参数
10 项参数- 晶体管极性
- PNP
- 配置
- Single
- 最大集电极－发射极电压（VCEO）
- 80 V
- 集电极－基极电压（VCBO）
- 80 V
- 发射极－基极电压（VEBO）
- 5 V
- 集电极－发射极饱和电压
- 1.3 V
- 最大直流集电极电流
- 1 A
- 最大直流电流增益（hFE）
- 100
- 最小直流电流增益（hfe）
- 20
- 耗散功率（Pd）
- 25 W
技术资料与历史库存、参考价供核对使用；当前供货、报价及交期请询价确认，参数相近不代表可直接替代。