US6T7TR
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 1.5 A。分立与功率器件
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型号列表
199,570 条型号记录BCX56-16T100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－发射极饱和电压 500 mV、增益带宽积（fT） 100 MHz、连续集电极电流 1 A，采用 MPT-3 封装。BCX53-16T100
ROHM Semiconductor · 封装：SOT-89-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 100 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.5 V、增益带宽积（fT） 150 MHz，采用 SOT-89-3 封装。2SC4672T100P
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A。2SC4672T100Q
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 3 A。2SA2126-H
ON Semiconductor · 封装：TO-251-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、连续集电极电流 3 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 TO-251-3 封装。2SAR544PT100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 - 2.5 A、最小直流电流增益（hfe） 120，采用 MPT-3 封装。2SCR554PT100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 80 V、集电极－基极电压（VCBO） 80 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 100 mV，采用 MPT-3 封装。2SC5347AF-TD-E
ON Semiconductor · 封装：PCP-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V、最大直流集电极电流 150 mA，采用 PCP-3 封装。2SC5347AE-TD-E
ON Semiconductor · 封装：TO-243-3
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 12 V、集电极－基极电压（VCBO） 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 2 V，采用 TO-243-3 封装。2SCR533PT100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 3 A、最小直流电流增益（hfe） 180，采用 MPT-3 封装。CPH3115-TL-H
ON Semiconductor · 封装：CPH-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、连续集电极电流 1.5 A、最小直流电流增益（hfe） 200、耗散功率（Pd） 900 mW，采用 CPH-3 封装。MMST2907AT146
ROHM Semiconductor · 封装：Reel
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 60 V、集电极－基极电压（VCBO） - 60 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 1.6 V，采用 Reel 封装。MMST8098T146
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.4 V。2SB1189T100R
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 80 V、集电极－基极电压（VCBO） - 80 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.2 V，采用 MPT-3 封装。FMC5AT148
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN, PNP、配置 Single、集电极－发射极饱和电压 0.3 V、增益带宽积（fT） 250 MHz、连续集电极电流 100 mA。BC 850CW H6327
Infineon Technologies · 封装：SOT-323-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、集电极－发射极饱和电压 200 mV，采用 SOT-323-3 封装。2SB1412TLP
ROHM Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 20 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V、最大直流集电极电流 5 A。2SB1412TLR
ROHM Semiconductor · 封装：CPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 20 V、集电极－基极电压（VCBO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 0.35 V，采用 CPT-3 封装。2SAR513PT100
ROHM Semiconductor · 封装：MPT-3
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 50 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.2 V，采用 MPT-3 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。