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ROHM Semiconductor

MMST8098T146

该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极-发射极电压(VCEO) 60 V、集电极-基极电压(VCBO) 60 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 0.4 V。

基本资料

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品牌 / 制造商
ROHM Semiconductor
产品类别
晶体管
产品系列
MMST8098
安装方式
表面贴装(SMD/SMT)
包装方式
卷盘
RoHS
符合(来源记录)

技术参数

16 项参数
晶体管极性
NPN
配置
Single
最大集电极-发射极电压(VCEO)
60 V
集电极-基极电压(VCBO)
60 V
发射极-基极电压(VEBO)
6 V
集电极-发射极饱和电压
0.4 V
最大直流集电极电流
0.2 A
增益带宽积(fT)
350 MHz
工作温度范围
-55~150 °C
最大直流电流增益(hFE)
300
高度
1.1 mm
长度
2.9 mm
展开更多参数(4 项)
宽度
1.6 mm
连续集电极电流
200 mA
最小直流电流增益(hfe)
75
耗散功率(Pd)
200 mW

技术资料与历史库存、参考价供核对使用;当前供货、报价及交期请询价确认,参数相近不代表可直接替代。

MMST8098T146 技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技